恩智浦推出业界首款采用可焊性镀锡侧焊盘的MOSFET

近日,恩智浦半导体今日推出业内首款2 mm x 2 mm、采用可焊性镀锡侧焊盘的超薄DFN (分立式扁平无引脚)封装MOSFET。这些独特的侧焊盘提供光学焊接检测的优势,与传统无引脚封装相比,焊接连接质量更好。

       即将面世的新型 PMPB11EN和 PMPB20EN 30V N沟道MOSFET是采用恩智浦 DFN2020MD-6 (SOT1220) 封装的20多类器件中率先推出的两款产品。这两款MOSFET的最大漏极电流(ID)大于10A,10V时的超低导通电阻Rds(on)分别为12 mOhm(典型值)和16.5 mOhm(典型值),因此导通损失小,功耗更低,电池使用寿命更长。

       新型DFN2020 MOSFET高度仅为0.6毫米,比当今市场上大多数2 mm x 2 mm的产品更加轻薄,是智能手机和平板电脑等便携应用设备中超小型负载开关、电源转换器和充电开关的理想之选。该款MOSFET还适用于其他空间受限应用,其中包括直流电机、服务器和网络通信以及LED照明,在这类应用中功率密度和效率尤为关键。DFN2020的封装尺寸仅为标准SO8封装的八分之一,提供与其相当的热阻,能够代替具有相同导通电阻Rds(on)值范围的许多大型MOSFET封装,如SO8封装、3 mm x 3 mm封装或TSSOP8封装。

       新型MOSFET提升了恩智浦超小型无引脚MOSFET产品线,截止到今年年末将有超过60种封装,封装尺寸为2 mm x 2 mm或1 mm x 0.6 mm。如今,恩智浦是超小型低导通电阻Rds(on) MOSFET的主要生产商,提供电平场效应晶体管(FET)和双极晶体管技术。